一、
電子元器件大多數(shù)都是從國外進(jìn)口，因?yàn)樯婕暗絿H快遞成本，數(shù)量少還沒有什么關(guān)系，一旦批量有些重量就關(guān)系到成本了，以下這幾種方式可以確認(rèn)電子元器件重量的方法：
1.可以直接在規(guī)格書上面查找，一些比較特殊的電子元器件，里面直接會(huì)有標(biāo)明重量
2.在原廠或者代理網(wǎng)站查看，有些上面會(huì)有說明參數(shù)，其中會(huì)有重量一欄。
3.一些常見封裝的重量統(tǒng)計(jì)有：
SOP14 0.36kg/1000pcs
SOP16 0.4kg/1000pcs
DIP6 1.2kg/1000pcs
DIP16 2.1kg/1000pcs
DIP20 3.0kg/1000pcs
DIP28 9kg/1000pcs
48TSSOP 1.3kg/1000pcs
TO-220 2.8kg/1000pcs
TO-204AA(TO-3) 13kg/1000pcs
內(nèi)存封裝是將內(nèi)存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對(duì)芯片的損害�？諝庵械碾s質(zhì)和不良?xì)怏w，乃至水蒸氣都會(huì)腐蝕芯片上的精密電路，進(jìn)而造成電學(xué)性能下降。不同的封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對(duì)內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用。
1、DIP封裝
DIP封裝的結(jié)構(gòu)形式多種多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等。但DIP封裝形式封裝效率是很低的，其芯片面積和封裝面積之比為1：1.86，這樣封裝產(chǎn)品的面積較大，內(nèi)存條PCB板的面積是固定的，封裝面積越大在內(nèi)存上安裝芯片的數(shù)量就越少，內(nèi)存條容量也就越小。同時(shí)較大的封裝面積對(duì)內(nèi)存頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。理想狀態(tài)下芯片面積和封裝面積之比為1：1將是最好的，但這是無法實(shí)現(xiàn)的，除非不進(jìn)行封裝，但隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，這個(gè)比值日益接近，已經(jīng)有了1：1.14的內(nèi)存封裝技術(shù)。
2、TSOP封裝
TSOP是“Thin Small Outline Package”的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內(nèi)存是在芯片的周圍做出引腳，采用SMT技術(shù)（表面安裝技術(shù)）直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時(shí)，寄生參數(shù)(電流大幅度變化時(shí)，引起輸出電壓擾動(dòng)) 減小，適合高頻應(yīng)用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時(shí)TSOP封裝具有成品率高，價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了極為廣泛的應(yīng)用。
TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過芯片引腳焊接在PCB板上的，焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB辦傳熱就相對(duì)困難。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過150MHz后，會(huì)產(chǎn)生較大的信號(hào)干擾和電磁干擾。
3、BGA封裝
采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術(shù)使每平方英寸的存儲(chǔ)量有了很大提升，采用BGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是I/O引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少；寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
4、CSP封裝
CSP（Chip Scale Package），是芯片級(jí)封裝的意思。CSP封裝最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。
CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內(nèi)存芯片在長時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。
CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時(shí)間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過一個(gè)個(gè)錫球焊接在PCB板上，由于焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。
5、WLCSP
WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級(jí)芯片封裝），這種技術(shù)不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再封裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后再切割。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢。首先是工藝工序大大優(yōu)化，晶圓直接進(jìn)入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對(duì)晶圓進(jìn)行切割、分類。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進(jìn)行，設(shè)備測試一次完成，這在傳統(tǒng)工藝中都是不可想象的。其次，生產(chǎn)周期和成本大幅下降，WLCSP的生產(chǎn)周期已經(jīng)縮短到1天半。而且，新工藝帶來優(yōu)異的性能，采用WLCSP封裝技術(shù)使芯片所需針腳數(shù)減少，提高了集成度。WLCSP帶來的另一優(yōu)點(diǎn)是電氣性能的提升，引腳產(chǎn)生的電磁干擾幾乎被消除。采用WLCSP封裝的內(nèi)存可以支持到800MHz的頻率，最大容量可達(dá)1GB！
二、
常見MOS管品牌，優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用
歐美（一線品牌）：IR 仙童 英飛凌 ST ON Vishay AOS
日本（二線品牌）：東芝 三洋 松木 瑞薩 富士 三菱 NEC等
韓國（二線品牌）：信安 美格納 semihow AUK KIA等
臺(tái)灣（二線品牌）：富鼎先進(jìn) 茂達(dá) 茂鈿 UTC（友順） CET（華潤）擎力等
大陸（三線品牌）：吉林華微 杭州士蘭微 廣州南科 西安后裔 深圳比亞迪 深圳銳駿
小功率低壓MOS管：常用型號(hào)：2301 3401 3400 3402 8205 9435 8822 9926等這些大部分應(yīng)用在數(shù)碼消費(fèi)品領(lǐng)域，可以配合我們的TVS和自恢復(fù)保險(xiǎn)絲、電感等一起推出去。低壓MOS管由于技術(shù)門檻低，很多雜牌的流入市場，價(jià)格競爭非常激烈。目前國產(chǎn)和臺(tái)灣的MOS管占領(lǐng)主要市場，歐美的就只有AOS和vishay有少部分高端市場。
中壓大功率MOS管：這部分的半壁江山都被歐美品牌占領(lǐng)，主要領(lǐng)軍的有IR，仙童，ST，英飛凌。ST的75N75主要在電動(dòng)車控制器領(lǐng)域是老牌地位，口碑最好，100V-250V之間大部分都是IR統(tǒng)治，因?yàn)檫@部分型號(hào)功率都比較大，大概都是應(yīng)用在逆變器里面，國產(chǎn)的目前認(rèn)可度還都比較低。
高壓MOS管: 600V系列，這個(gè)系列競爭也是白熱化。主要分布在電源行業(yè)，其中國內(nèi)市場，高端品牌主要用仙童的，中端市場用日韓的，比如東芝的2SK系列，韓國很多牌子，最有影響力的是信安，semihow，KIA，AUK。其余的市場是國產(chǎn)和臺(tái)灣的牌子，國產(chǎn)的有力競爭對(duì)手是吉林華微，性價(jià)比最高，杭州士蘭微和深圳比亞迪勝在價(jià)格優(yōu)勢，華晶的性能最穩(wěn)定，但是價(jià)格最高，臺(tái)灣的UTC在這個(gè)領(lǐng)域也很受歡迎。
800V-1200V: 這部分市場大部分還都是進(jìn)口品牌的天下。
1200V以上都是用的IGBT了
MOS管：區(qū)別于三極管的電流控制，MOS管的控制端是電壓信號(hào)，很小的功率就可以驅(qū)動(dòng)，導(dǎo)通損耗也比三級(jí)管小，開關(guān)速度更好，可以過幾十兆的信號(hào)，信號(hào)噪聲影響比較小，是目前市場的主流。但是在超高壓更大電流的情況下，MOS管的導(dǎo)通壓降會(huì)非常大，這點(diǎn)是不允許的，恰恰三極管的導(dǎo)通壓降會(huì)很小，所以IGBT就應(yīng)運(yùn)而生。